CSD17579Q5A 30V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET
这款 30V，8.4mΩ，SON 5mm x 6mm NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。
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- 低 Qg 和 Qgd
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- 低 RDSon
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- 低热阻
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- 雪崩额定值
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- 无铅引脚镀层
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- 符合 RoHS 环保标准
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- 无卤素
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- 小外形尺寸无引线 SON 5mm x 6mm 塑料封装
## 应用范围
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- 用于网络互联，电信和计算系统的负载点同步降压转换器
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- 针对控制场效应 FET 应用进行了优化
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通道数 1
漏源极电阻 11.6 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 3.1 W
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 14A
上升时间 7 ns
输入电容Ciss 1030pF @15VVds
下降时间 1 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.1W Ta, 36W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 VSON-8
长度 6 mm
宽度 4.9 mm
高度 1 mm
封装 VSON-8
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 正在供货
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
CSD17579Q5A TI 德州仪器 | 当前型号 | 当前型号 |
CSD17579Q5AT 德州仪器 | 类似代替 | CSD17579Q5A和CSD17579Q5AT的区别 |