30V，N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD17552Q5A
NexFET™ 功率 MOSFET 被设计用于大大减少功率转换应用中的功率损失。
RθJA= 40°C/W，这是在一个厚度为 0.06 英寸 1.52mm 的 FR4 印刷电路板 PCB 上的 1 英寸26.45cm2，
2 盎司（厚度 0.071mm）的铜过渡垫片上测得的典型值。脉冲持续时间 ≤ 300μs，占空比 ≤ 2%
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- 超低栅极电荷 Qg 和栅漏电荷 Qgd
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- 低热阻
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- 雪崩级
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- 无铅端子镀层
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- 符合 RoHS 标准
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- 无卤素
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- 小外形尺寸无引线 SON 5mm × 6mm 塑料封装
通道数 1
针脚数 8
漏源极电阻 0.0051 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 3 W
阈值电压 1.5 V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 88A
上升时间 11.4 ns
输入电容Ciss 2050pF @15VVds
额定功率Max 3 W
下降时间 3.6 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 3W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 VSON-FET-8
长度 6 mm
宽度 4.9 mm
高度 1 mm
封装 VSON-FET-8
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 正在供货
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
CSD17552Q5A TI 德州仪器 | 当前型号 | 当前型号 |
IRFH8330TR2PBF 英飞凌 | 功能相似 | CSD17552Q5A和IRFH8330TR2PBF的区别 |