TEXAS INSTRUMENTS CSD13383F4T 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.9 A, 12 V, 0.037 ohm, 4.5 V, 1 V
N 通道 FemtoFET™ 功率 MOSFET,Texas Instruments
欧时:
Texas Instruments FemtoFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD13383F4T, 2.9 A, Vds=12 V, 3引脚 PICOSTAR封装
得捷:
MOSFET N-CH 12V 2.9A 3PICOSTAR
立创商城:
CSD13383F4T
德州仪器TI:
12-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single LGA 1 mm x 0.6mm, 44 mOhm, gate ESD protection
艾睿:
Use Texas Instruments&s; CSD13383F4T power MOSFET to switch quickly between different electronic signals with ease. Its maximum power dissipation is 500 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging for effective mounting and safe delivery. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This device utilizes femtofet technology.
安富利:
Trans MOSFET N-CH 12V 2.9A 3-Pin PICOSTAR T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 12V 2.9A 3-Pin PICOSTAR T/R
Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS CSD13383F4T MOSFET Transistor, N Channel, 2.9 A, 12 V, 0.037 ohm, 4.5 V, 1 V
针脚数 3
漏源极电阻 0.037 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 500 mW
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 12 V
连续漏极电流Ids 2.9A
上升时间 122 ns
输入电容Ciss 224pF @6VVds
下降时间 290 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 500 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SMD-3
长度 0.64 mm
宽度 1.04 mm
高度 0.35 mm
封装 SMD-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 电源管理, 工业, 消费电子产品, 便携式器材
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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CSD13383F4T TI 德州仪器 | 当前型号 | 当前型号 |
CSD13383F4 德州仪器 | 功能相似 | CSD13383F4T和CSD13383F4的区别 |