CSD13383F4T

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CSD13383F4T概述

TEXAS INSTRUMENTS  CSD13383F4T  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.9 A, 12 V, 0.037 ohm, 4.5 V, 1 V

N 通道 FemtoFET™ 功率 MOSFET,Texas Instruments


欧时:
Texas Instruments FemtoFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD13383F4T, 2.9 A, Vds=12 V, 3引脚 PICOSTAR封装


得捷:
MOSFET N-CH 12V 2.9A 3PICOSTAR


立创商城:
CSD13383F4T


德州仪器TI:
12-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single LGA 1 mm x 0.6mm, 44 mOhm, gate ESD protection


艾睿:
Use Texas Instruments&s; CSD13383F4T power MOSFET to switch quickly between different electronic signals with ease. Its maximum power dissipation is 500 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging for effective mounting and safe delivery. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This device utilizes femtofet technology.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 12V 2.9A 3-Pin PICOSTAR T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 12V 2.9A 3-Pin PICOSTAR T/R


Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS  CSD13383F4T  MOSFET Transistor, N Channel, 2.9 A, 12 V, 0.037 ohm, 4.5 V, 1 V


CSD13383F4T中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.037 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 500 mW

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 12 V

连续漏极电流Ids 2.9A

上升时间 122 ns

输入电容Ciss 224pF @6VVds

下降时间 290 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SMD-3

外形尺寸

长度 0.64 mm

宽度 1.04 mm

高度 0.35 mm

封装 SMD-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 电源管理, 工业, 消费电子产品, 便携式器材

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

CSD13383F4T引脚图与封装图
CSD13383F4T引脚图
CSD13383F4T封装图
CSD13383F4T封装焊盘图
在线购买CSD13383F4T
型号: CSD13383F4T
制造商: TI 德州仪器
描述:TEXAS INSTRUMENTS  CSD13383F4T  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.9 A, 12 V, 0.037 ohm, 4.5 V, 1 V
替代型号CSD13383F4T
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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TI 德州仪器

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CSD13383F4

德州仪器

功能相似

CSD13383F4T和CSD13383F4的区别

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