N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET,Texas Instruments### MOSFET 晶体管,Texas Instruments
N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET,Texas Instruments
得捷:
MOSFET N-CH 30V 20A 8VSON
立创商城:
CSD17579Q3AT
德州仪器TI:
30-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 3 mm x 3 mm, 14.2 mOhm
欧时:
Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD17579Q3AT, 11 A, Vds=30 V, 8引脚 VSCONP封装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin VSONP EP T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 39A 8-Pin VSONP T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 29W; VSONP8 3,3x3,3mm
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin VSONP EP T/R
Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS CSD17579Q3AT MOSFET Transistor, N Channel, 20 A, 30 V, 0.0087 ohm, 10 V, 1.5 V
Win Source:
MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON
通道数 1
漏源极电阻 0.0087 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 29 W
阈值电压 1.5 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 20A
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 768pF @15VVds
下降时间 1 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.2W Ta, 29W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 VSONP-8
长度 3.5 mm
宽度 3.5 mm
高度 0.9 mm
封装 VSONP-8
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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