N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET
此器件设计用于在超低高度并具有出色散热特性的尽可能小外形尺寸封装内产生最低的接通电阻和栅极电荷。
顶视图 在 1 in2 2 盎司纯铜 Cu 2 oz. 且厚度为 0.060" 的环氧板 FR4 印刷电路板 PCB 上,RθJA = 75.7°C/W (典型值)。脉宽 ≤ 1ms,占空比 ≤ 2% 。
通道数 1
漏源极电阻 20 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 1.65 W
阈值电压 850 mV
漏源极电压Vds 12 V
漏源击穿电压 12 V
连续漏极电流Ids 3.5A
上升时间 10 ns
输入电容Ciss 550pF @6VVds
下降时间 3.2 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.65W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 DSBGA-6
长度 1.5 mm
宽度 1 mm
高度 0.38 mm
封装 DSBGA-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 正在供货
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99