N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET,Texas Instruments### MOSFET 晶体管,Texas Instruments
N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET,Texas Instruments
### MOSFET ,Texas Instruments
欧时:
Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD17578Q3AT, 14 A, Vds=30 V, 8引脚 VSCONP封装
得捷:
MOSFET N-CH 30V 20A 8VSON
立创商城:
CSD17578Q3AT
德州仪器TI:
30-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 3 mm x 3 mm, 9.4 mOhm
贸泽:
MOSFET 30V NCh NexFET Pwr MOSFET
艾睿:
This CSD17578Q3AT power MOSFET from Texas Instruments can be used for amplification in your circuit. Its maximum power dissipation is 3200 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging to allow for quick mounting and safe delivery. This device utilizes nexfet technology. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.
安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 54A 8-Pin VSONP T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin VSONP EP T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 37W; VSONP8 3,3x3,3mm
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin VSONP EP T/R
Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS CSD17578Q3AT MOSFET Transistor, N Channel, 20 A, 30 V, 0.0063 ohm, 10 V, 1.5 V
Win Source:
MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON
漏源极电阻 0.0063 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 37 W
阈值电压 1.5 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 20A
上升时间 6 ns
输入电容Ciss 1150pF @15VVds
下降时间 1 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.2W Ta, 37W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 VSONP-8
长度 3.5 mm
宽度 3.5 mm
高度 0.9 mm
封装 VSONP-8
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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CSD17578Q3AT TI 德州仪器 | 当前型号 | 当前型号 |
CSD17578Q3A 德州仪器 | 类似代替 | CSD17578Q3AT和CSD17578Q3A的区别 |