CXT3019TR参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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CXT3019TR图片3

CXT3019TR中文资料参数规格

技术参数

频率 100 MHz

极性 NPN

耗散功率 1.2 W

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 1A

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-89

外形尺寸

封装 SOT-89

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买CXT3019TR

型号： CXT3019TR

制造商： Central Semiconductor

描述：SOT-89 NPN 80V 1A

替代型号CXT3019TR

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

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Central Semiconductor

当前型号

当前型号

CXT3019

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