CSD25484F4T

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CSD25484F4T概述

P 通道 FemtoFET™ 功率 MOSFET,Texas Instruments### MOSFET 晶体管,Texas Instruments

P 通道 FemtoFET™ 功率 MOSFET,Texas Instruments


得捷:
MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR


立创商城:
P沟道 20V 2.5A


德州仪器TI:
-20-V, P channel NexFET™ power MOSFET, single LGA 0.6 mm x 1 mm, 109 mOhm, gate ESD protection


欧时:
### P 通道 FemtoFET™ 功率 MOSFET,Texas Instruments### MOSFET 晶体管,Texas Instruments


贸泽:
MOSFET 20V P-Ch FemtoFET MOSFET


艾睿:
In addition to amplifying electronic signals, you&s;ll be able to switch between various lines with the CSD25484F4T power MOSFET, developed by Texas Instruments. Its maximum power dissipation is 500 mW. In order to ensure safe delivery and enable quick mounting of this component after delivery, it will be encased in tape and reel packaging during shipment. This device is made with femtofet technology. This P channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.


安富利:
Trans MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-Pin PICOSTAR T/R


Verical:
Trans MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-Pin PICOSTAR T/R


CSD25484F4T中文资料参数规格
技术参数

极性 P-Channel

耗散功率 0.5 W

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 2.5A

上升时间 5 ns

输入电容Ciss 230pF @10VVds

下降时间 8.5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 PICOSTAR-3

外形尺寸

长度 1.04 mm

宽度 0.64 mm

高度 0.2 mm

封装 PICOSTAR-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

CSD25484F4T引脚图与封装图
CSD25484F4T引脚图
CSD25484F4T封装图
CSD25484F4T封装焊盘图
在线购买CSD25484F4T
型号: CSD25484F4T
制造商: TI 德州仪器
描述:P 通道 FemtoFET™ 功率 MOSFET,Texas Instruments ### MOSFET 晶体管,Texas Instruments
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