TEXAS INSTRUMENTS CSD75208W1015T 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -1.6 A, -20 V, 0.056 ohm, -4.5 V, -800 mV
Mosfet Array 2 P-Channel Dual Common Source 20V 1.6A 750mW Surface Mount 6-DSBGA
得捷:
MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6WLP
立创商城:
CSD75208W1015T
德州仪器TI:
-20-V, P channel NexFET™ power MOSFET, dual Common Source WLP 1 mm x 1.5 mm, 108 mOhm, gate ESD prot
e络盟:
双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -1.6 A, -20 V, 0.056 ohm, -4.5 V, -800 mV
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 6-Pin DSBGA T/R
安富利:
Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 6-Pin DSBGA T/R
Verical:
Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 6-Pin DSBGA T/R
针脚数 6
漏源极电阻 0.056 Ω
极性 Dual P-Channel
耗散功率 750 mW
阈值电压 800 mV
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 1.6A
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 410pF @10VVds
额定功率Max 750 mW
下降时间 11 ns
工作温度Max 85 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 UFBGA-6
封装 UFBGA-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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CSD75208W1015T TI 德州仪器 | 当前型号 | 当前型号 |
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