CSD75208W1015T

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CSD75208W1015T概述

TEXAS INSTRUMENTS  CSD75208W1015T  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -1.6 A, -20 V, 0.056 ohm, -4.5 V, -800 mV

Mosfet Array 2 P-Channel Dual Common Source 20V 1.6A 750mW Surface Mount 6-DSBGA


得捷:
MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6WLP


立创商城:
CSD75208W1015T


德州仪器TI:
-20-V, P channel NexFET™ power MOSFET, dual Common Source WLP 1 mm x 1.5 mm, 108 mOhm, gate ESD prot


e络盟:
双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -1.6 A, -20 V, 0.056 ohm, -4.5 V, -800 mV


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 6-Pin DSBGA T/R


安富利:
Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 6-Pin DSBGA T/R


Verical:
Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 6-Pin DSBGA T/R


CSD75208W1015T中文资料参数规格
技术参数

针脚数 6

漏源极电阻 0.056 Ω

极性 Dual P-Channel

耗散功率 750 mW

阈值电压 800 mV

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 1.6A

上升时间 5 ns

输入电容Ciss 410pF @10VVds

额定功率Max 750 mW

下降时间 11 ns

工作温度Max 85 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 UFBGA-6

外形尺寸

封装 UFBGA-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

CSD75208W1015T引脚图与封装图
CSD75208W1015T引脚图
CSD75208W1015T封装图
CSD75208W1015T封装焊盘图
在线购买CSD75208W1015T
型号: CSD75208W1015T
制造商: TI 德州仪器
描述:TEXAS INSTRUMENTS  CSD75208W1015T  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -1.6 A, -20 V, 0.056 ohm, -4.5 V, -800 mV
替代型号CSD75208W1015T
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