CSD13306W概述
CSD13306W 12V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET
这款 8.8mΩ、12V N 通道器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的 1.5 mm × 1mm 小外形封装内提供最低的导通电阻和栅极电荷。
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- 超低导通电阻
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- 低 Qg 和 Qgd
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- 1mm x 1.5mm 小尺寸封装
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- 低高度（高度为 0.62mm）
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- 无铅
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- 符合 RoHS 环保标准
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- 无卤素
## 应用范围
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- 电池管理
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- 负载开关
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- 电池保护
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CSD13306W中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 1.9 W
漏源极电压Vds 12 V
连续漏极电流Ids 3.5A
上升时间 11 ns
输入电容Ciss 1370pF @6VVds
下降时间 8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.9W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 DSBGA-6
外形尺寸
长度 1.5 mm
宽度 1 mm
高度 0.62 mm
封装 DSBGA-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 正在供货
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
CSD13306W引脚图与封装图 
