25V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET
N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET,Texas Instruments
得捷:
MOSFET N-CH 25V 21A/60A 8VSON
立创商城:
N沟道 25V 21A
德州仪器TI:
25-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 3 mm x 3 mm, 5.5 mOhm
欧时:
Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD16340Q3, 60 A, Vds=25 V, 8引脚 SON封装
贸泽:
MOSFET N Channel NexFET Power MOSFET
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 25 V, 0.0038 ohm, 8 V, 850 mV
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin SON EP T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Newark:
MOSFET Transistor, N Channel, 60 A, 25 V, 3.8 mohm, 8 V, 850 mV
Win Source:
MOSFET N-CH 25V 60A 8SON
DeviceMart:
MOSFET N-CH 25V 60A 8SON
通道数 1
针脚数 8
漏源极电阻 3.8 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 3 W
阈值电压 850 mV
漏源极电压Vds 25 V
漏源击穿电压 25 V
连续漏极电流Ids 60.0 A
上升时间 16.1 ns
输入电容Ciss 1350pF @12.5VVds
额定功率Max 3 W
下降时间 5.2 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 VSON-Clip-8
长度 3.4 mm
宽度 3.3 mm
高度 1.1 mm
封装 VSON-Clip-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 正在供货
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2014/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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