CSD17578Q5AT

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CSD17578Q5AT概述

30V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON5x6、9.3mΩ 8-VSONP -55 to 150

N-Channel 30V 25A Ta 3.1W Ta, 42W Tc Surface Mount 8-VSONP 5x6


得捷:
MOSFET N-CH 30V 25A 8VSON


立创商城:
CSD17578Q5AT


德州仪器TI:
30-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 9.3 mOhm


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 16A 8-Pin VSONP EP T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SON T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 25A; 42W; VSONP8 5x6mm


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 16A 8-Pin VSONP EP T/R


Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS  CSD17578Q5AT  MOSFET Transistor, N Channel, 25 A, 30 V, 0.0059 ohm, 10 V, 1.5 V


CSD17578Q5AT中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.0059 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 42 W

阈值电压 1.5 V

漏源极电压Vds 30 V

上升时间 22 ns

输入电容Ciss 1510pF @15VVds

下降时间 2 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3.1W Ta, 42W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 VSON-8

外形尺寸

封装 VSON-8

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Contains Lead

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

CSD17578Q5AT引脚图与封装图
CSD17578Q5AT引脚图
CSD17578Q5AT封装图
CSD17578Q5AT封装焊盘图
在线购买CSD17578Q5AT
型号: CSD17578Q5AT
制造商: TI 德州仪器
描述:30V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON5x6、9.3mΩ 8-VSONP -55 to 150
替代型号CSD17578Q5AT
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