30V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON5x6、9.3mΩ 8-VSONP -55 to 150
N-Channel 30V 25A Ta 3.1W Ta, 42W Tc Surface Mount 8-VSONP 5x6
得捷:
MOSFET N-CH 30V 25A 8VSON
立创商城:
CSD17578Q5AT
德州仪器TI:
30-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 9.3 mOhm
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 16A 8-Pin VSONP EP T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SON T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 25A; 42W; VSONP8 5x6mm
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 16A 8-Pin VSONP EP T/R
Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS CSD17578Q5AT MOSFET Transistor, N Channel, 25 A, 30 V, 0.0059 ohm, 10 V, 1.5 V
漏源极电阻 0.0059 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 42 W
阈值电压 1.5 V
漏源极电压Vds 30 V
上升时间 22 ns
输入电容Ciss 1510pF @15VVds
下降时间 2 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.1W Ta, 42W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 VSON-8
封装 VSON-8
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准
含铅标准 Contains Lead
REACH SVHC版本 2015/06/15
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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CSD17578Q5AT TI 德州仪器 | 当前型号 | 当前型号 |
CSD17578Q5A 德州仪器 | 功能相似 | CSD17578Q5AT和CSD17578Q5A的区别 |