N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET，Texas Instruments### MOSFET 晶体管，Texas Instruments
N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET，Texas Instruments
欧时:
Trans MOSFET N-CH, CSD13306WT
得捷:
MOSFET N-CH 12V 3.5A 6DSBGA
立创商城:
CSD13306WT
德州仪器TI:
12-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single WLP 1 mm x 1.5 mm, 10.2 mOhm
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 12V 3.5A 6-Pin DSBGA T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 12V 3.5A 6-Pin DSBGA T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 12V 3.5A 6-Pin DSBGA T/R
Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS CSD13306WT MOSFET Transistor, N Channel, 3.5 A, 12 V, 0.0088 ohm, 4.5 V, 1 V
漏源极电阻 0.0088 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1.9 W
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 12 V
连续漏极电流Ids 3.5A
上升时间 11 ns
输入电容Ciss 1050pF @6VVds
下降时间 8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.9W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 DSBGA-6
长度 1 mm
宽度 1.49 mm
高度 0.28 mm
封装 DSBGA-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
