TEXAS INSTRUMENTS CSD17551Q5A 晶体管, MOSFET, N沟道, 48 A, 30 V, 0.007 ohm, 10 V, 1.7 V
NexFET™ 功率 MOSFET 被设计用于大大减少功率转换应用中的功率损失。
RθJA=41.9°C/W，这是在一个厚度为 0.06 英寸 1.52mm 的 FR4 印刷电路板 PCB 上的 1 英寸26.45cm2，
2 盎司（厚度为 0.071mm）铜过渡垫片上测得的典型值。脉冲持续时间 ≤ 300μs，占空比 ≤ 2%
- .
- 超低栅极电荷 Qg 和栅漏电荷 Qgd
- .
- 低热阻
- .
- 额定雪崩能量
- .
- 无铅端子封装
- .
- 符合 RoHS 标准
- .
- 无卤素
- .
- 小外形尺寸 SON 5mm × 6mm 塑料封装
通道数 1
针脚数 8
漏源极电阻 0.007 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 3 W
阈值电压 1.7 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 13.5A
上升时间 15.5 ns
输入电容Ciss 1272pF @15VVds
额定功率Max 3 W
下降时间 4.3 ns
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 3W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PowerTDFN-8
宽度 4.9 mm
封装 PowerTDFN-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 正在供货
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
CSD17551Q5A TI 德州仪器 | 当前型号 | 当前型号 |
CSD17507Q5A 德州仪器 | 类似代替 | CSD17551Q5A和CSD17507Q5A的区别 |
IRFH7914TRPBF 英飞凌 | 功能相似 | CSD17551Q5A和IRFH7914TRPBF的区别 |
CSD17327Q5A 德州仪器 | 功能相似 | CSD17551Q5A和CSD17327Q5A的区别 |