CSD16323Q3

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CSD16323Q3概述

N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET,Texas Instruments


得捷:
MOSFET N-CH 25V 21A/60A 8VSON


立创商城:
N沟道 25V 21A 60A


德州仪器TI:
25-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 3 mm x 3 mm, 5.5 mOhm


欧时:
Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD16323Q3, 60 A, Vds=25 V, 8引脚 SON封装


贸泽:
MOSFET N-Ch NexFET Pwr MOSFET


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 25 V, 60 A, 0.0044 ohm, SON, 表面安装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin SON EP


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin SON EP


Verical:
Trans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R


Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS  CSD16323Q3  MOSFET Transistor, N Channel, 60 A, 25 V, 4.4 mohm, 4.5 V, 1.1 V


Win Source:
MOSFET N-CH 25V 3.3X3.3 8-SON


DeviceMart:
MOSFET N-CH 25V 3.3X3.3 8-SON


CSD16323Q3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0044 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 3 W

阈值电压 1.1 V

输入电容 1.3 nF

漏源极电压Vds 25 V

连续漏极电流Ids 60.0 A

上升时间 15 ns

输入电容Ciss 1300pF @12.5VVds

额定功率Max 3 W

下降时间 6.3 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 VSON-Clip-8

外形尺寸

长度 3.4 mm

宽度 3.4 mm

高度 1.1 mm

封装 VSON-Clip-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 正在供货

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 通信与网络, 计算机和计算机周边, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

CSD16323Q3引脚图与封装图
CSD16323Q3引脚图
CSD16323Q3封装图
CSD16323Q3封装焊盘图
在线购买CSD16323Q3
型号: CSD16323Q3
制造商: TI 德州仪器
描述:N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET
替代型号CSD16323Q3
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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