TEXAS INSTRUMENTS CSD17577Q3AT 晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 30 V, 0.004 ohm, 10 V, 1.4 V
N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET,Texas Instruments
### MOSFET ,Texas Instruments
得捷:
MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON
立创商城:
CSD17577Q3AT
德州仪器TI:
30-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 3 mm x 3 mm, 6.4 mOhm
欧时:
Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD17577Q3AT, 19 A, Vds=30 V, 8引脚 VSCONP封装
贸泽:
MOSFET 30V NCH NexFET MOSFET
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 30 V, 35 A, 0.004 ohm, VSON, 表面安装
艾睿:
Increase the current or voltage in your circuit with this CSD17577Q3AT power MOSFET from Texas Instruments. Its maximum power dissipation is 2500 mW. In order to ensure safe delivery and enable quick mounting of this component after delivery, it will be encased in tape and reel packaging during shipment. This device utilizes nexfet technology. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.
安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 19A 8-Pin VSONP T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 35A; 53W; VSONP8 3,3x3,3mm
Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 19A 8-Pin VSONP EP T/R
Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS CSD17577Q3AT MOSFET Transistor, N Channel, 35 A, 30 V, 0.004 ohm, 10 V, 1.4 V
通道数 1
针脚数 8
漏源极电阻 0.004 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 53 W
阈值电压 1.4 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 19A
上升时间 31 ns
输入电容Ciss 1780pF @15VVds
下降时间 4 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.8W Ta, 53W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 VSONP-8
长度 3.5 mm
宽度 3.5 mm
高度 0.9 mm
封装 VSONP-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 通信与网络, 工业, 电源管理, 计算机和计算机周边
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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