CSD17577Q3AT

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CSD17577Q3AT概述

TEXAS INSTRUMENTS  CSD17577Q3AT  晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 30 V, 0.004 ohm, 10 V, 1.4 V

N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET,Texas Instruments

### MOSFET ,Texas Instruments


得捷:
MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON


立创商城:
CSD17577Q3AT


德州仪器TI:
30-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 3 mm x 3 mm, 6.4 mOhm


欧时:
Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD17577Q3AT, 19 A, Vds=30 V, 8引脚 VSCONP封装


贸泽:
MOSFET 30V NCH NexFET MOSFET


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 30 V, 35 A, 0.004 ohm, VSON, 表面安装


艾睿:
Increase the current or voltage in your circuit with this CSD17577Q3AT power MOSFET from Texas Instruments. Its maximum power dissipation is 2500 mW. In order to ensure safe delivery and enable quick mounting of this component after delivery, it will be encased in tape and reel packaging during shipment. This device utilizes nexfet technology. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 19A 8-Pin VSONP T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 35A; 53W; VSONP8 3,3x3,3mm


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 19A 8-Pin VSONP EP T/R


Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS  CSD17577Q3AT  MOSFET Transistor, N Channel, 35 A, 30 V, 0.004 ohm, 10 V, 1.4 V


CSD17577Q3AT中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 8

漏源极电阻 0.004 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 53 W

阈值电压 1.4 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 19A

上升时间 31 ns

输入电容Ciss 1780pF @15VVds

下降时间 4 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.8W Ta, 53W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 VSONP-8

外形尺寸

长度 3.5 mm

宽度 3.5 mm

高度 0.9 mm

封装 VSONP-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 通信与网络, 工业, 电源管理, 计算机和计算机周边

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

CSD17577Q3AT引脚图与封装图
CSD17577Q3AT引脚图
CSD17577Q3AT封装图
CSD17577Q3AT封装焊盘图
在线购买CSD17577Q3AT
型号: CSD17577Q3AT
制造商: TI 德州仪器
描述:TEXAS INSTRUMENTS  CSD17577Q3AT  晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 30 V, 0.004 ohm, 10 V, 1.4 V
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