CSD17551Q3A概述
30V N 通道 MOSFET
本示例中使用的 NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低损耗。
要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。 RθJA= 48°C/W，这是在一个厚度为 0.06 英寸 1.52mm 的 FR4 印刷电路板 PCB 上的 1 英寸26.45cm2，
2 盎司（厚度 0.071mm）的铜过渡垫片上测得的典型值。脉冲持续时间 ≤ 300μs，占空比 ≤ 2%
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- 超低 Qg 和 Qgd
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- 低热阻
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- 雪崩额定值
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- 无铅
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- 符合 RoHS 环保标准
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- 无卤素
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- 小外形尺寸无引线 SON 3.3mm × 3.3mm 塑料封装
## 应用范围
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- 网络互联、电信和计算系统中的负载点同步降压
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- 针对控制场效应 FET 应用进行了优化
CSD17551Q3A中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.0078 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.6 W
阈值电压 1.6 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 48A
上升时间 24 ns
输入电容Ciss 1370pF @15VVds
额定功率Max 2.6 W
下降时间 3.4 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.6W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SON-8
外形尺寸
封装 SON-8
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 正在供货
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
REACH SVHC版本 2015/06/15
CSD17551Q3A引脚图与封装图 
