CSD17527Q5A

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CSD17527Q5A概述

30V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

此 NexFET 功率 MOSFET 专为最大限度地减少功率转换应用中的损耗而设计。

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超低 Qg 和 Qgd
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低热阻
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雪崩额定
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无铅终端镀层
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符合 RoHS 标准
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无卤素
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SON 5 毫米 × 6 毫米塑料封装

得捷:
MOSFET N-CH 30V 65A 8VSON


立创商城:
CSD17527Q5A


德州仪器TI:
30-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 10.8 mOhm


贸泽:
MOSFET 30V,NCh Nex FET Pwr MOSFET


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin VSONP EP T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SON EP T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin VSONP EP T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin VSONP EP T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 30V 65A 8SON


CSD17527Q5A中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 15.5 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 3 W

阈值电压 1.6 V

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

连续漏极电流Ids 13A

上升时间 8.2 ns

输入电容Ciss 506pF @15VVds

额定功率Max 3 W

下降时间 3.2 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 VSON-8

外形尺寸

长度 6 mm

宽度 4.9 mm

高度 1 mm

封装 VSON-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 正在供货

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

CSD17527Q5A引脚图与封装图
CSD17527Q5A引脚图
CSD17527Q5A封装图
CSD17527Q5A封装焊盘图
在线购买CSD17527Q5A
型号: CSD17527Q5A
制造商: TI 德州仪器
描述:30V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET
替代型号CSD17527Q5A
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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