N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET
N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET,Texas Instruments
得捷:
MOSFET N-CH 25V 14A/52A 8VSON
立创商城:
CSD16412Q5A
德州仪器TI:
25-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 16 mOhm
欧时:
Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD16412Q5A, 52 A, Vds=25 V, 8引脚 SON封装
贸泽:
MOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs
e络盟:
# TEXAS INSTRUMENTS CSD16412Q5A 晶体管, MOSFET, N沟道, 52 A, 25 V, 0.009 ohm, 4.5 V, 2 V
艾睿:
Do you require the advantages of traditional transistors coupled with the switching benefits of power MOSFETs? Texas Instruments&s; CSD16412Q5A power MOSFET can provide a solution. Its maximum power dissipation is 3000 mW. In order to ensure safe delivery and enable quick mounting of this component after delivery, it will be encased in tape and reel packaging during shipment. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This device is made with nexfet technology.
安富利:
Trans MOSFET N-CH 25V 14A 8-Pin SON EP T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 25V 14A 8-Pin SON EP T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 25V 14A 8-Pin VSONP EP T/R
Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS CSD16412Q5A MOSFET Transistor, N Channel, 52 A, 25 V, 9 mohm, 10 V, 2 V
Win Source:
MOSFET N-CH 25V 52A 8-SON
DeviceMart:
MOSFET N-CH 25V 52A 8-SON
通道数 1
针脚数 8
漏源极电阻 0.009 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 3 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 25 V
连续漏极电流Ids 52.0 A
上升时间 7.1 ns
输入电容Ciss 530pF @12.5VVds
额定功率Max 3 W
下降时间 3.3 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 VSON-FET-8
长度 5.8 mm
宽度 4.9 mm
高度 1.1 mm
封装 VSON-FET-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 正在供货
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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