CSD17577Q5AT

CSD17577Q5AT图片1
CSD17577Q5AT图片2
CSD17577Q5AT图片3
CSD17577Q5AT图片4
CSD17577Q5AT图片5
CSD17577Q5AT图片6
CSD17577Q5AT图片7
CSD17577Q5AT图片8
CSD17577Q5AT图片9
CSD17577Q5AT图片10
CSD17577Q5AT概述

TEXAS INSTRUMENTS  CSD17577Q5AT  晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 30 V, 0.0035 ohm, 10 V, 1.4 V

N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET,Texas Instruments

### MOSFET ,Texas Instruments


得捷:
MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON


立创商城:
CSD17577Q5AT


德州仪器TI:
30-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 5.8 mOhm


欧时:
### N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET,Texas Instruments### MOSFET 晶体管,Texas Instruments


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 30 V, 60 A, 0.0035 ohm, VSON, 表面安装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 60A 8-Pin VSONP EP T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin VSONP T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 60A; 53W; VSONP8 5x6mm


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSONP EP T/R


Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS  CSD17577Q5AT  MOSFET Transistor, N Channel, 60 A, 30 V, 0.0035 ohm, 10 V, 1.4 V


CSD17577Q5AT中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0035 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 53 W

阈值电压 1.4 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 60A

上升时间 12 ns

输入电容Ciss 1780pF @15VVds

下降时间 2 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 3W Ta, 53W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 VSONP-8

外形尺寸

长度 5.8 mm

宽度 5 mm

高度 0.76 mm

封装 VSONP-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

CSD17577Q5AT引脚图与封装图
CSD17577Q5AT引脚图
CSD17577Q5AT封装图
CSD17577Q5AT封装焊盘图
在线购买CSD17577Q5AT
型号: CSD17577Q5AT
制造商: TI 德州仪器
描述:TEXAS INSTRUMENTS  CSD17577Q5AT  晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 30 V, 0.0035 ohm, 10 V, 1.4 V
替代型号CSD17577Q5AT
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

CSD17577Q5AT

TI 德州仪器

当前型号

当前型号

CSD17577Q5A

德州仪器

类似代替

CSD17577Q5AT和CSD17577Q5A的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台