P 通道 NexFET 功率 MOSFET,CSD22202W15
此器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的超小外形尺寸封装内产生尽可能低的导通电阻和栅极电荷。 低导通电阻与小型封装尺寸和低高度结合在一起,使得此器件非常适合于电池供电运行的空间受限应用。
## 应用范围
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极性 P-CH
耗散功率 1.5 W
漏源极电压Vds 8 V
连续漏极电流Ids 10A
上升时间 8.4 ns
输入电容Ciss 1390pF @4VVds
下降时间 38 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.5W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 9
封装 DSBGA-9
长度 1.5 mm
宽度 1.5 mm
高度 0.62 mm
封装 DSBGA-9
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 正在供货
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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