TEXAS INSTRUMENTS CSD25202W15T 晶体管, MOSFET, P沟道, -4 A, -20 V, 0.021 ohm, -4.5 V, -750 mV
表面贴装型 P 通道 4A（Ta） 500mW（Ta） 9-DSBGA
得捷:
MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA
立创商城:
CSD25202W15T
德州仪器TI:
-20-V, P channel NexFET™ power MOSFET, single WLP 1.5 mm x 1.5 mm, 26 mOhm, gate ESD protection
e络盟:
TEXAS INSTRUMENTS CSD25202W15T 晶体管, MOSFET, P沟道, -4 A, -20 V, 0.021 ohm, -4.5 V, -750 mV
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 20V 4A 9-Pin DSBGA T/R
安富利:
Trans MOSFET P-CH 20V 4A 9-Pin DS-BGA T/R
Verical:
Trans MOSFET P-CH 20V 4A 9-Pin DSBGA T/R
针脚数 9
漏源极电阻 0.021 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 500 mW
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 4A
上升时间 12 ns
输入电容Ciss 1010pF @10VVds
下降时间 28 ns
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 500mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 9
封装 DSBGA-9
封装 DSBGA-9
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
CSD25202W15T TI 德州仪器 | 当前型号 | 当前型号 |
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