双30 -V N通道NexFET功率MOSFET Dual 30-V N-Channel NexFET Power MOSFETs
是一款设计用于适配器 / USB 输入保护的 30V 共源、双路 N 通道器件。 此类 SON 3.3mm x 3.3mm 器件有低漏极到漏极导通电阻,这大大减少了损耗并且为空间受限的多节电池充电类应用提供低组件数量。
R=63°C/W,这是在厚度为 0.060" 的环氧板印刷电路板 FR4PCB 上 1 in²(2 盎司)铜过渡垫片上测得的典型值脉冲持续时间 ≤ 300μs,占空比 ≤ 2% 。
通道数 2
漏源极电阻 38 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 2.5 W
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 27A
上升时间 16 ns
输入电容Ciss 1250pF @15VVds
额定功率Max 2.5 W
下降时间 2.9 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 2.5 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PowerTDFN-8
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
高度 1 mm
封装 PowerTDFN-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 正在供货
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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