TEXAS INSTRUMENTS CSD88539NDT 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 15 A, 60 V, 0.023 ohm, 10 V, 3 V
Mosfet Array 2 N-Channel Dual 60V 15A 2.1W Surface Mount 8-SO
立创商城:
2个N沟道 60V 15A
得捷:
MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
德州仪器TI:
60-V, N channel NexFET™ power MOSFET, dual SO-8, 28 mOhm
e络盟:
双路场效应管, MOSFET, N沟道, 60 V, 15 A, 0.023 ohm, SOIC, 表面安装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 15A 8-Pin SOIC T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 6.3A 8-Pin SOIC T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 15A; 2.1W; SO8
Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 15A 8-Pin SOIC T/R
Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS CSD88539NDT Dual MOSFET, Dual N Channel, 15 A, 60 V, 0.023 ohm, 10 V, 3 V
Win Source:
MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC / Mosfet Array 2 N-Channel Dual 60V 15A 2.1W Surface Mount 8-SOIC
针脚数 8
漏源极电阻 0.023 Ω
极性 Dual N-Channel
耗散功率 2.1 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 15A
上升时间 9 ns
输入电容Ciss 741pF @30VVds
额定功率Max 2.1 W
下降时间 4 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2100 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
封装 SOIC-8
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
CSD88539NDT TI 德州仪器 | 当前型号 | 当前型号 |
CSD88539ND 德州仪器 | 完全替代 | CSD88539NDT和CSD88539ND的区别 |