CY7C1021DV33 系列 1 Mb 64 K x 16 3.3 V 10 ns 静态RAM - VFBGA-48
SRAM - Asynchronous Memory IC 1Mb 64K x 16 Parallel 10ns 48-VFBGA 6x8
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CY7C1021DV33-10BVXI
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IC SRAM 1MBIT PARALLEL 48VFBGA
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静态随机存取存储器 2Mb 10ns 3.3V 64Kx16 Fast Async 静态随机存取存储器
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SRAM, 1 Mbit, 64K x 16位, 3V 至 3.6V, VFBGA, 48 引脚, 10 ns
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SRAM Chip Async Single 3.3V 1M-bit 64K x 16 10ns 48-Pin VFBGA Tray
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DeviceMart:
IC SRAM 1MBIT 10NS 48VFBGA
电源电压DC 3.00V min
针脚数 48
位数 16
存取时间 10 ns
内存容量 125000 B
存取时间Max 10 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 3V ~ 3.6V
电源电压Max 3.6 V
电源电压Min 3 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 48
封装 VFBGA-48
封装 VFBGA-48
工作温度 -40℃ ~ 85℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 3A991.b.2.b
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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CY7C1021DV33-10BVXI Cypress Semiconductor 赛普拉斯 | 当前型号 | 当前型号 |
CY7C1021DV33-10BVXIT 赛普拉斯 | 完全替代 | CY7C1021DV33-10BVXI和CY7C1021DV33-10BVXIT的区别 |
71V016SA12BFGI 艾迪悌 | 类似代替 | CY7C1021DV33-10BVXI和71V016SA12BFGI的区别 |
71V016SA12BF 艾迪悌 | 功能相似 | CY7C1021DV33-10BVXI和71V016SA12BF的区别 |