CSD25404Q3参数规格_中文资料_数据手册PDF

CSD25404Q3概述

-20V、P 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON 3x3、6.5mΩ 8-VSON-CLIP -55 to 150

这款 -20V、5.5mΩ NexFET 功率金属氧化物半导体场效应 MOSFET 旨在最大限度地降低功率转换和负载管理应用中的损耗。该器件采用 3.3mm × 3.3mm 小外形尺寸无引线 SON 封装，可提供出色的封装散热性能。

.: 超低 Qg 和 Qgd

.: 低热阻

.: 低 RDSon

.: 无卤素

.: 符合 RoHS 标准

.: 无铅引脚镀层

.: 小外形尺寸无引线 SON 3.3mm × 3.3mm 塑料封装

## 应用

.: 直流-直流转换器

.: 电池管理

.: 负载开关

.: 电池保护

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CSD25404Q3中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

漏源极电阻 150 mΩ

耗散功率 2.8 W

阈值电压 650 mV

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 20 V

上升时间 8 ns

输入电容Ciss 2120pF @10VVds

下降时间 13 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 2.8W Ta, 96W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 VSON-Clip-8

外形尺寸

长度 3.3 mm

宽度 3.3 mm

高度 1 mm

封装 VSON-Clip-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期正在供货

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

CSD25404Q3引脚图与封装图

在线购买CSD25404Q3

型号： CSD25404Q3

制造商： TI 德州仪器

描述：-20V、P 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON 3x3、6.5mΩ 8-VSON-CLIP -55 to 150

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