TEXAS INSTRUMENTS CSD87501LT 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 14 A, 30 V, 0.0066 ohm, 10 V, 1.8 V
N 通道 NexFET™ 双 MOSFET,Texas Instruments
### MOSFET ,Texas Instruments
得捷:
MOSFET 2N-CH 30V 10PICOSTAR
德州仪器TI:
30-V, N channel NexFET™ power MOSFET, dual common drain LGA, 5.5 mOhm, gate ESD protection
欧时:
Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD87501LT, 14 A, Vds=30 V, 10引脚 PICOSTAR封装
e络盟:
TEXAS INSTRUMENTS CSD87501LT 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 14 A, 30 V, 0.0066 ohm, 10 V, 1.8 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 14A 10-Pin PicoStar T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 14A 10-Pin PICOSTAR T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 14A 10-Pin PICOSTAR T/R
Newark:
Dual MOSFET, Dual N Channel, 14 A, 30 V, 0.0066 ohm, 10 V, 1.8 V
针脚数 10
漏源极电阻 0.0066 Ω
极性 Dual N-Channel
耗散功率 2.5 W
阈值电压 1.8 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 14A
上升时间 260 ns
输入电容Ciss 1620 pF
额定功率Max 2.5 W
下降时间 712 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 10
封装 XFBGA-10
长度 1.52 mm
宽度 3.42 mm
高度 0.2 mm
封装 XFBGA-10
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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CSD87501LT TI 德州仪器 | 当前型号 | 当前型号 |
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