CSD87501LT

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CSD87501LT概述

TEXAS INSTRUMENTS  CSD87501LT  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 14 A, 30 V, 0.0066 ohm, 10 V, 1.8 V

N 通道 NexFET™ 双 MOSFET,Texas Instruments

### MOSFET ,Texas Instruments


得捷:
MOSFET 2N-CH 30V 10PICOSTAR


德州仪器TI:
30-V, N channel NexFET™ power MOSFET, dual common drain LGA, 5.5 mOhm, gate ESD protection


欧时:
Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD87501LT, 14 A, Vds=30 V, 10引脚 PICOSTAR封装


e络盟:
TEXAS INSTRUMENTS  CSD87501LT  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 14 A, 30 V, 0.0066 ohm, 10 V, 1.8 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 14A 10-Pin PicoStar T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 14A 10-Pin PICOSTAR T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 14A 10-Pin PICOSTAR T/R


Newark:
Dual MOSFET, Dual N Channel, 14 A, 30 V, 0.0066 ohm, 10 V, 1.8 V


CSD87501LT中文资料参数规格
技术参数

针脚数 10

漏源极电阻 0.0066 Ω

极性 Dual N-Channel

耗散功率 2.5 W

阈值电压 1.8 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 14A

上升时间 260 ns

输入电容Ciss 1620 pF

额定功率Max 2.5 W

下降时间 712 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.5 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 10

封装 XFBGA-10

外形尺寸

长度 1.52 mm

宽度 3.42 mm

高度 0.2 mm

封装 XFBGA-10

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

CSD87501LT引脚图与封装图
CSD87501LT引脚图
CSD87501LT封装图
CSD87501LT封装焊盘图
在线购买CSD87501LT
型号: CSD87501LT
制造商: TI 德州仪器
描述:TEXAS INSTRUMENTS  CSD87501LT  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 14 A, 30 V, 0.0066 ohm, 10 V, 1.8 V
替代型号CSD87501LT
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CSD87501LT和CSD87501L的区别

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