CSD17510Q5A

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CSD17510Q5A概述

30V N 通道低侧 NexFET 功率 MOSFET,Vgs 为 20V

N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET,Texas Instruments


得捷:
MOSFET N-CH 30V 20A/100A 8VSON


立创商城:
CSD17510Q5A


德州仪器TI:
30-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 5.2 mOhm


欧时:
Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD17510Q5A, 55 A, Vds=30 V, 8引脚 SON封装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin VSONP EP T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SON EP T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin VSONP EP T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin VSONP EP T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 30V 100A 8SON


DeviceMart:
MOSFET N-CH 30V 100A 8SON


CSD17510Q5A中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.0041 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 3 W

阈值电压 1.5 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 20.0 A

上升时间 11 ns

输入电容Ciss 1250pF @15VVds

额定功率Max 3 W

下降时间 4.1 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PowerTDFN-8

外形尺寸

长度 5.8 mm

宽度 5 mm

高度 1.1 mm

封装 PowerTDFN-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 正在供货

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

CSD17510Q5A引脚图与封装图
CSD17510Q5A引脚图
CSD17510Q5A封装图
CSD17510Q5A封装焊盘图
在线购买CSD17510Q5A
型号: CSD17510Q5A
制造商: TI 德州仪器
描述:30V N 通道低侧 NexFET 功率 MOSFET,Vgs 为 20V
替代型号CSD17510Q5A
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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