30V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET
The NexFET power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications, and optimized for 5V gate drive applications.
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- Optimized for 5V Gate Drive
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- Ultralow Qg and Qgd
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- Low Thermal Resistance
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- Avalanche Rated
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- Pb Free Terminal Plating
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- RoHS Compliant
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- Halogen Free
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- SON 5-mm × 6-mm Plastic Package
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- APPLICA ONS
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- Notebook Point of Load
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- Point-of-Load Synchronous Buck in Networking, Telecom and Computing Systems
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- Optimized for Synchronous FET Applications
通道数 1
针脚数 8
漏源极电阻 0.0039 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 3.1 W
阈值电压 1.3 V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 100 A
上升时间 11.5 ns
输入电容Ciss 1560pF @15VVds
额定功率Max 3.1 W
下降时间 5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.1W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 VSON-FET-8
长度 6 mm
宽度 4.9 mm
高度 1 mm
封装 VSON-FET-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 正在供货
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
CSD17310Q5A TI 德州仪器 | 当前型号 | 当前型号 |
CSD17305Q5A 德州仪器 | 类似代替 | CSD17310Q5A和CSD17305Q5A的区别 |
CSD17308Q3 德州仪器 | 功能相似 | CSD17310Q5A和CSD17308Q3的区别 |
CSD17307Q5A 德州仪器 | 功能相似 | CSD17310Q5A和CSD17307Q5A的区别 |