CSD17311Q5

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CSD17311Q5概述

30V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

表面贴装型 N 通道 32A(Ta),100A(Tc) 3.2W(Ta) 8-VSON-CLIP(5x6)


得捷:
MOSFET N-CH 30V 32A/100A 8VSON


立创商城:
N沟道 30V 32A


德州仪器TI:
30-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 2.3 mOhm


贸泽:
MOSFET 30V N-Channel NexFET Power MOSFET


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin SON EP T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin SON T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin SON EP T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin SON EP T/R


Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS  CSD17311Q5  MOSFET Transistor, N Channel, 100 A, 30 V, 1.6 mohm, 8 V, 1.2 V


Win Source:
MOSFET N-CH 30V 100A 8SON


CSD17311Q5中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.0016 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 3.2 W

阈值电压 1.2 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 32A

上升时间 18 ns

输入电容Ciss 4280pF @15VVds

额定功率Max 3.2 W

下降时间 12 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3.2W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 8-VSON-CLIP

外形尺寸

长度 6 mm

宽度 5 mm

高度 1 mm

封装 8-VSON-CLIP

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 正在供货

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

CSD17311Q5引脚图与封装图
CSD17311Q5引脚图
CSD17311Q5封装图
CSD17311Q5封装焊盘图
在线购买CSD17311Q5
型号: CSD17311Q5
制造商: TI 德州仪器
描述:30V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET
替代型号CSD17311Q5
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