CSD19531Q5A

TEXAS INSTRUMENTS  CSD19531Q5A  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 100 V, 0.0053 ohm, 10 V, 2.7 V

这款 100V，5.3mΩ，SON 5mm × 6mm NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低损耗。

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要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。 RθJA = 40°C/W，这是在一个厚度 0.06 英寸环氧树脂 FR4 印刷电路板 PCB 上的 1 英寸2，2 盎司 的铜过渡垫片上测得的典型值。 最大 RθJC = 1.0°C/W，持续时间 ≤100μs，占空比 ≤1%

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超低 Qg 和 Qgd

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低热阻

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雪崩额定值

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无铅端子镀层

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符合 RoHS 环保标准

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无卤素

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小外形尺寸无引线 SON 5mm x 6mm 塑料封装

## 应用范围

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初级侧电信应用

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次级侧同步整流器

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电机控制