TEXAS INSTRUMENTS CSD18540Q5BT 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0018 ohm, 10 V, 1.9 V
表面贴装型 N 通道 60 V 100A(Ta) 3.1W(Ta),195W(Tc) 8-VSON-CLIP(5x6)
立创商城:
CSD18540Q5BT
得捷:
MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
德州仪器TI:
60-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 2.2 mOhm
贸泽:
MOSFET 60V,NCh NexFET Pwr MOSFET
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 60 V, 100 A, 0.0018 ohm, VSON, 表面安装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin VSON T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 188W; VSON-CLIP8 5x6mm
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Newark:
MOSFET Transistor, N Channel, 100 A, 60 V, 0.0018 ohm, 10 V, 1.9 V
针脚数 8
漏源极电阻 0.0018 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 195 W
阈值电压 1.9 V
漏源极电压Vds 60 V
上升时间 9 ns
输入电容Ciss 4230pF @30VVds
下降时间 3 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.1W Ta, 195W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 VSON-Clip-8
长度 6 mm
宽度 5 mm
高度 1 mm
封装 VSON-Clip-8
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 电机驱动与控制, 工业, 电源管理
RoHS标准
含铅标准 Contains Lead
REACH SVHC标准 No SVHC
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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