CSD18540Q5BT

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CSD18540Q5BT概述

TEXAS INSTRUMENTS  CSD18540Q5BT  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0018 ohm, 10 V, 1.9 V

表面贴装型 N 通道 60 V 100A(Ta) 3.1W(Ta),195W(Tc) 8-VSON-CLIP(5x6)


立创商城:
CSD18540Q5BT


得捷:
MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON


德州仪器TI:
60-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 2.2 mOhm


贸泽:
MOSFET 60V,NCh NexFET Pwr MOSFET


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 60 V, 100 A, 0.0018 ohm, VSON, 表面安装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin VSON T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 188W; VSON-CLIP8 5x6mm


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R


Newark:
MOSFET Transistor, N Channel, 100 A, 60 V, 0.0018 ohm, 10 V, 1.9 V


CSD18540Q5BT中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0018 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 195 W

阈值电压 1.9 V

漏源极电压Vds 60 V

上升时间 9 ns

输入电容Ciss 4230pF @30VVds

下降时间 3 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3.1W Ta, 195W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 VSON-Clip-8

外形尺寸

长度 6 mm

宽度 5 mm

高度 1 mm

封装 VSON-Clip-8

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 电机驱动与控制, 工业, 电源管理

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

CSD18540Q5BT引脚图与封装图
CSD18540Q5BT引脚图
CSD18540Q5BT封装图
CSD18540Q5BT封装焊盘图
在线购买CSD18540Q5BT
型号: CSD18540Q5BT
制造商: TI 德州仪器
描述:TEXAS INSTRUMENTS  CSD18540Q5BT  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0018 ohm, 10 V, 1.9 V
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