N 通道 NexFET 功率 MOSFET,CSD19502Q5B
这款 3.4mΩ,80V,SON 5mm x 6mm NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。
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要了解所有可用封装,请见数据表末尾的可订购产品附录。 RθJA = 40°C/W,这是在一个厚度 0.06 英寸环氧树脂 FR4 印刷电路板 PCB 上的 1 英寸2,2 盎司 的铜过渡垫片上测得的典型值。最大 RθJC = 0.8°C/W,脉冲持续时间 ≤ 100µs,占空比 ≤ 1%
## 应用范围
针脚数 8
漏源极电阻 0.0034 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 3.2 W
阈值电压 2.7 V
漏源极电压Vds 80 V
连续漏极电流Ids 100A
上升时间 6 ns
输入电容Ciss 4870pF @40VVds
下降时间 7 ns
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 3.1W Ta, 195W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 VSON-Clip-8
封装 VSON-Clip-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 正在供货
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 工业, 电机驱动与控制, 电源管理
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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