N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET
N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET,Texas Instruments
### MOSFET ,Texas Instruments
得捷:
MOSFET N-CH 25V 21A/97A 8VSON
立创商城:
CSD16322Q5
德州仪器TI:
25-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 5.8 mOhm
欧时:
Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD16322Q5, 97 A, Vds=25 V, 8引脚 SON封装
贸泽:
MOSFET N-Channel NexFET Pwr MOSFETs
e络盟:
TEXAS INSTRUMENTS CSD16322Q5 晶体管, MOSFET, N沟道, 97 A, 25 V, 0.0039 ohm, 4.5 V, 1.1 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 25V 97A 8-Pin SON T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin SON T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS CSD16322Q5 MOSFET Transistor, N Channel, 97 A, 25 V, 0.0039 ohm, 4.5 V, 1.1 V
Win Source:
MOSFET N-CH 25V 5X6 8SON
通道数 1
针脚数 8
漏源极电阻 0.0039 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 3.1 W
阈值电压 1.1 V
漏源极电压Vds 25 V
漏源击穿电压 25 V
连续漏极电流Ids 97.0 A
上升时间 10.7 ns
输入电容Ciss 1365pF @12.5VVds
额定功率Max 3.1 W
下降时间 3.7 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.1W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 VSON-Clip-8
长度 6.1 mm
宽度 5 mm
高度 1.05 mm
封装 VSON-Clip-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 正在供货
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
CSD16322Q5 TI 德州仪器 | 当前型号 | 当前型号 |
CSD16322Q5C 德州仪器 | 完全替代 | CSD16322Q5和CSD16322Q5C的区别 |
CSD16406Q3 德州仪器 | 类似代替 | CSD16322Q5和CSD16406Q3的区别 |
CSD16323Q3 德州仪器 | 类似代替 | CSD16322Q5和CSD16323Q3的区别 |