60-V N 通道 NexFET 功率 MOSFET,CSD18563Q5A
这款 5.7mΩ,60V,SON 5mm x 6mm NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。
## 应用范围
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通道数 1
针脚数 8
漏源极电阻 0.0057 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 116 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 100A
上升时间 6.3 ns
输入电容Ciss 1500pF @30VVds
额定功率Max 3.2 W
下降时间 1.7 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.2W Ta, 116W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 VSON-FET-8
长度 5.8 mm
宽度 5 mm
高度 1.1 mm
封装 VSON-FET-8
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 正在供货
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
REACH SVHC版本 2015/06/15
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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