N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET...
此 NexFET 功率 MOSFET 的设计大大减少了功率转换中的损失并针对 5V 栅极应用进行了优化。
在 1 in2 2 盎司纯铜 Cu 2 oz. 且厚度为 0.060" 的环氧板 FR4 印刷电路板 PCB 上,RθJA = 40°C/W (典型值)。脉宽 ≤300μs,占空比 ≤2%
通道数 1
针脚数 8
漏源极电阻 0.0038 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 3 W
阈值电压 850 mV
漏源极电压Vds 25 V
漏源击穿电压 25 V
连续漏极电流Ids 21A
上升时间 16.6 ns
输入电容Ciss 1350pF @12.5VVds
额定功率Max 3 W
下降时间 3.1 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 VSON-FET-8
长度 5.8 mm
宽度 5 mm
高度 1.1 mm
封装 VSON-FET-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 正在供货
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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