CSD16342Q5A

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CSD16342Q5A概述

N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET...

此 NexFET 功率 MOSFET 的设计大大减少了功率转换中的损失并针对 5V 栅极应用进行了优化。

在 1 in2 2 盎司纯铜 Cu 2 oz. 且厚度为 0.060" 的环氧板 FR4 印刷电路板 PCB 上,RθJA = 40°C/W (典型值)。脉宽 ≤300μs,占空比 ≤2%

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针对 5V 栅极驱动而优化
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VGS = 2.5V 时的额定电阻值
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超低栅极电荷 Qg 和栅漏电荷 Qgd
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低热电阻
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额定雪崩能量
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无铅端子封装
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符合 RoHS 标准
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无卤素
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无引线小外形尺寸 SON 5mm x 6mm 塑料封装
CSD16342Q5A中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 8

漏源极电阻 0.0038 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 3 W

阈值电压 850 mV

漏源极电压Vds 25 V

漏源击穿电压 25 V

连续漏极电流Ids 21A

上升时间 16.6 ns

输入电容Ciss 1350pF @12.5VVds

额定功率Max 3 W

下降时间 3.1 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 VSON-FET-8

外形尺寸

长度 5.8 mm

宽度 5 mm

高度 1.1 mm

封装 VSON-FET-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 正在供货

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

CSD16342Q5A引脚图与封装图
CSD16342Q5A引脚图
CSD16342Q5A封装图
CSD16342Q5A封装焊盘图
在线购买CSD16342Q5A
型号: CSD16342Q5A
制造商: TI 德州仪器
描述:N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET...
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