CSD86311W1723

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CSD86311W1723概述

双路 N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

The device has been designed to deliver the lowest on resistance and gate charge in the smallest outline possible with thermal characteristics in an ultra low profile. Low on resistance and gate charge coupled with the small footprint and low profile make the device ideal for battery operated space constrained application in load management as well as DC-DC converter applications

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Dual N-Ch MOSFETs
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Common Source Configuration
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Small Footprint 1.7 mm × 2.3 mm
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Ultra Low Qg and Qgd
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Pb Free
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RoHS Compliant
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Halogen Free
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APPLICA ONS
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Battery Management
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Battery Protection
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DC-DC Converters
CSD86311W1723中文资料参数规格
技术参数

针脚数 12

漏源极电阻 0.029 Ω

极性 Dual N-Channel

耗散功率 1.5 W

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 25 V

连续漏极电流Ids 4.5A

上升时间 4.3 ns

输入电容Ciss 585pF @12.5VVds

额定功率Max 1.5 W

下降时间 2.9 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 12

封装 UFBGA-12

外形尺寸

封装 UFBGA-12

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 正在供货

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

CSD86311W1723引脚图与封装图
CSD86311W1723引脚图
CSD86311W1723封装图
CSD86311W1723封装焊盘图
在线购买CSD86311W1723
型号: CSD86311W1723
制造商: TI 德州仪器
描述:双路 N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

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