40V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET
这款 40V,5.5mΩ,TO-220 NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。
要了解所有可用封装,请见数据表末尾的可订购产品附录。 最大 RθJC = 1.3ºC/W,脉冲持续时间 ≤ 100μs,占空比 ≤ 1%
## 应用范围
All trademarks are the property of their respective owners.
针脚数 3
漏源极电阻 0.0055 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 93 W
阈值电压 1.9 V
漏源极电压Vds 40 V
连续漏极电流Ids 100A
上升时间 5.2 ns
输入电容Ciss 1800pF @20VVds
额定功率Max 93 W
下降时间 4.2 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 115W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
封装 TO-220-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 正在供货
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
CSD18504KCS TI 德州仪器 | 当前型号 | 当前型号 |
CSD18503KCS 德州仪器 | 类似代替 | CSD18504KCS和CSD18503KCS的区别 |
PSMN8R0-40PS 恩智浦 | 功能相似 | CSD18504KCS和PSMN8R0-40PS的区别 |
CSD18510KCS 德州仪器 | 功能相似 | CSD18504KCS和CSD18510KCS的区别 |