N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET
表面贴装型 N 通道 22A（Ta），113A（Tc） 3.1W（Ta） 8-VSONP（5x6）
德州仪器TI:
25-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 6.8 mOhm
得捷:
MOSFET N-CH 25V 22A/113A 8VSON
贸泽:
MOSFET N-Channel NexFET Pwr MOSFET
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 25V 22A 8-Pin SON T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 25V 22A 8-Pin SON T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 25V 22A 8-Pin SON T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 25V 22A 8-Pin SON T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 25V 113A 5X6 8SON
通道数 1
漏源极电阻 5.4 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 3.1 W
阈值电压 1.8 V
漏源极电压Vds 25 V
漏源击穿电压 25 V
连续漏极电流Ids 22A
上升时间 25 ns
输入电容Ciss 1300pF @12.5VVds
额定功率Max 3.1 W
下降时间 10.8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 3.1W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 VSON-Clip-8
长度 6 mm
宽度 5 mm
高度 1 mm
封装 VSON-Clip-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 正在供货
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
CSD16408Q5 TI 德州仪器 | 当前型号 | 当前型号 |
CSD16401Q5 德州仪器 | 类似代替 | CSD16408Q5和CSD16401Q5的区别 |
CSD16406Q3 德州仪器 | 类似代替 | CSD16408Q5和CSD16406Q3的区别 |
CSD16322Q5 德州仪器 | 类似代替 | CSD16408Q5和CSD16322Q5的区别 |