DualCool™ N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET
N 通道 NexFET™ 双 MOSFET,Texas Instruments
### MOSFET ,Texas Instruments
得捷:
MOSFET N-CH 25V 21A/97A 8SON
欧时:
Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD16322Q5C, 21 A, Vds=25 V, 8引脚 SON封装
贸泽:
MOSFET DualCool N-Channel NexFET Power MOSFET
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 25 V, 97 A, 0.0039 ohm, SON, 表面安装
艾睿:
As an alternative to traditional transistors, the CSD16322Q5C power MOSFET from Texas Instruments can be used to both amplify and switch electronic signals. Its maximum power dissipation is 3100 mW. Tape and reel packaging will encase this product during shipment, in order to ensure safe delivery and enable quick mounting of components. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This device is made with nexfet technology. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.
安富利:
Trans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin SON EP T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin SON EP T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
DeviceMart:
MOSFET N-CH 25V 97A 8SON
通道数 1
针脚数 8
漏源极电阻 0.0039 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 3.1 W
阈值电压 1.1 V
漏源极电压Vds 25 V
连续漏极电流Ids 97.0 A
上升时间 10.7 ns
输入电容Ciss 1365pF @12.5VVds
额定功率Max 3.1 W
下降时间 3.7 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.1W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 VSON-Clip-8
长度 6.1 mm
宽度 5.1 mm
高度 1.05 mm
封装 VSON-Clip-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 正在供货
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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CSD16322Q5C TI 德州仪器 | 当前型号 | 当前型号 |
CSD16322Q5 德州仪器 | 完全替代 | CSD16322Q5C和CSD16322Q5的区别 |
CSD16406Q3 德州仪器 | 类似代替 | CSD16322Q5C和CSD16406Q3的区别 |
CSD16323Q3 德州仪器 | 类似代替 | CSD16322Q5C和CSD16323Q3的区别 |