CSD19534Q5A

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CSD19534Q5A概述

100V、N 通道 NexFET 功率 MOSFET,CSD19534Q5A

这款 100V,12.6mΩ,SON 5mm x 6mm NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低损耗。

顶视图

要了解所有可用封装,请见数据表末尾的可订购产品附录。 RθJA = 40°C/W,这是在一个厚度 0.06 英寸环氧树脂 FR4 印刷电路板 PCB 上的 1 英寸2,2 盎司 的铜过渡垫片上测得的典型值。 最大 RθJC = 2.0°C/W,脉冲持续时间 ≤ 100μs,占空比 ≤ 1%

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超低 Qg 和 Qgd
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低热阻
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雪崩额定值
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无铅端子镀层
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符合 RoHS 环保标准
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无卤素
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小外形尺寸无引线 SON 5mm x 6mm 塑料封装

## 应用范围

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初级侧电信应用
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电机控制
CSD19534Q5A中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

极性 N-CH

耗散功率 3.2 W

阈值电压 2.4 V

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 50A

上升时间 14 ns

输入电容Ciss 1680pF @50VVds

下降时间 6 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3.2W Ta, 63W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 VSON-8

外形尺寸

宽度 4.9 mm

封装 VSON-8

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 正在供货

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

CSD19534Q5A引脚图与封装图
CSD19534Q5A引脚图
CSD19534Q5A封装图
CSD19534Q5A封装焊盘图
在线购买CSD19534Q5A
型号: CSD19534Q5A
制造商: TI 德州仪器
描述:100V、N 通道 NexFET 功率 MOSFET,CSD19534Q5A
替代型号CSD19534Q5A
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

CSD19534Q5A

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