N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD17553Q5A
NexFET™ 功率 MOSFET 被设计用于大大减少功率转换应用中的功率损失。
顶视图 RθJA= 40.5°C/W，这是在一个厚度为 0.06 英寸 1.52mm 的 FR4 印刷电路板 PCB 上的 1 英寸26.45cm2，
2 盎司（厚度 0.071mm）的铜过渡垫片上测得的典型值。脉冲持续时间 ≤ 300μs，占空比 ≤ 2%
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- 超低 Qg和 Qgd
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- 低热阻
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- 雪崩级
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- 无铅端子镀层
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- 符合 RoHS 标准
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- 无卤素
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- 小外形尺寸无引线 SON 5mm × 6mm 塑料封装
通道数 1
漏源极电阻 4 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 3.1 W
阈值电压 1.5 V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 23.5A
上升时间 17 ns
输入电容Ciss 3252pF @15VVds
额定功率Max 3.1 W
下降时间 5.2 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.1W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 VSON-FET-8
长度 5.8 mm
宽度 5 mm
高度 1.1 mm
封装 VSON-FET-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 正在供货
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
CSD17553Q5A TI 德州仪器 | 当前型号 | 当前型号 |
CSD17555Q5A 德州仪器 | 类似代替 | CSD17553Q5A和CSD17555Q5A的区别 |
FDMS7660 飞兆/仙童 | 功能相似 | CSD17553Q5A和FDMS7660的区别 |