60V,N 通道 NexFET 功率 MOSFET
这款 11 mΩ、60V TO-220 NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。
## 应用范围
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通道数 1
漏源极电阻 0.011 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 79 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60 V
连续漏极电流Ids 50A
上升时间 3.2 ns
输入电容Ciss 1140pF @30VVds
下降时间 3.9 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 94W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
高度 16.51 mm
封装 TO-220-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 正在供货
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15