DualCool™ N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET
The NexFET™ power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications.
- .
- Ultra Low Qg and Qgd
- .
- DualCool™ Package
- .
- Optimized for 2-Sided Cooling
- .
- Low Thermal Resistance
- .
- Avalanche Rated
- .
- Pb Free Terminal Plating
- .
- RoHS Compliant
- .
- Halogen Free
- .
- SON 5-mm × 6-mm Plastic Package
- .
- APPLICA ONS
- .
- Point-of-Load Synchronous Buck in Networking,
Telecom and Computing Systems
- .
- Optimized for Control FET Applications
DualCool, NexFET are trademarks of Texas Instruments.
通道数 1
漏源极电阻 5.4 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 3.1 W
阈值电压 1.8 V
漏源极电压Vds 25 V
漏源击穿电压 25 V
连续漏极电流Ids 113 A
上升时间 25 ns
输入电容Ciss 1300pF @12.5VVds
额定功率Max 3.1 W
下降时间 10.8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.1W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 8-VSON-CLIP
长度 6 mm
宽度 5 mm
高度 1 mm
封装 8-VSON-CLIP
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 正在供货
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
REACH SVHC版本 2015/06/15
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
CSD16408Q5C TI 德州仪器 | 当前型号 | 当前型号 |
CSD16321Q5C 德州仪器 | 类似代替 | CSD16408Q5C和CSD16321Q5C的区别 |
CSD16407Q5C 德州仪器 | 类似代替 | CSD16408Q5C和CSD16407Q5C的区别 |
CSD16406Q3 德州仪器 | 功能相似 | CSD16408Q5C和CSD16406Q3的区别 |