CSD88537ND

TEXAS INSTRUMENTS  CSD88537ND  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 15 A, 60 V, 0.0125 ohm, 10 V, 3 V

这款双路小外形尺寸 SO-8，60V，12.5mΩ NexFET 功率 MOSFET 旨在用作低电流电机控制应用中的半桥。

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要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。 RθJA = 60°C/W，这是在一个厚度 0.06 英寸环氧树脂 FR4 印刷电路板 PCB 上的 1 英寸2，2 盎司 的铜焊盘上测得的典型值

。最大 RθJL = 20°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%

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超低 Qg 和 Qgd

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雪崩额定值

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无铅

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符合 RoHS 环保标准

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无卤素

## 应用范围

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用于电机控制的半桥

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同步降压转换器