CSD19537Q3，100V N 沟道 NexFETTM 功率 MOSFET
这款 100V、12.1mΩ、SON 3.3mm × 3.3mm NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。
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- 超低 Qg 和 Qgd
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- 低热阻
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- 雪崩级
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- 无铅引脚镀层
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- 符合 RoHS 环保标准
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- 无卤素
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- 小外形尺寸无引线 SON 3.3mm × 3.3mm 塑料封装
## 应用
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- 一次侧隔离式转换器
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- 电机控制
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极性 N-CH
耗散功率 2.8 W
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 50A
上升时间 3 ns
输入电容Ciss 1680pF @50VVds
下降时间 3 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.8W Ta, 83W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 VSON-Clip-8
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
高度 1 mm
封装 VSON-Clip-8
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 正在供货
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准
含铅标准 Contains Lead
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
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