TEXAS INSTRUMENTS CSD18531Q5A 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0035 ohm, 10 V, 1.8 V
N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET,Texas Instruments
### MOSFET ,Texas Instruments
立创商城:
CSD18531Q5A
得捷:
MOSFET N-CH 60V 19A/100A 8VSON
欧时:
Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD18531Q5A, 134 A, Vds=60 V, 8引脚 SON封装
德州仪器TI:
60-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 4.6 mOhm
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSONP EP T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 19A 8-Pin SON EP T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 60V 19A 8-Pin SON EP T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 156W; VSONP8 5x6mm
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSONP EP T/R
Newark:
MOSFET Transistor, N Channel, 100 A, 60 V, 0.0035 ohm, 10 V, 1.8 V
DeviceMart:
MOSFET N-CH 60V 8SON
通道数 1
针脚数 8
漏源极电阻 0.0035 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 3.1 W
阈值电压 1.8 V
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 100A
上升时间 7.8 ns
输入电容Ciss 3840pF @30VVds
额定功率Max 3.1 W
下降时间 2.7 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.1W Ta, 156W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PowerTDFN-8
长度 5.8 mm
宽度 5 mm
高度 1.1 mm
封装 PowerTDFN-8
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 电机驱动与控制, 电源管理
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2017/07/07
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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CSD18531Q5A TI 德州仪器 | 当前型号 | 当前型号 |
IRLH5036TRPBF 英飞凌 | 功能相似 | CSD18531Q5A和IRLH5036TRPBF的区别 |