30V ， N通道NexFET功率MOSFET 30V, N-Channel NexFET Power MOSFETs
Make an effective common gate amplifier using this power MOSFET from Texas Instruments. Its maximum power dissipation is 3200 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging for effective mounting and safe delivery. This device is made with nexfet technology. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.
通道数 1
极性 N-CH
耗散功率 3.2 W
阈值电压 1.3 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 28A
上升时间 17 ns
输入电容Ciss 2630pF @15VVds
额定功率Max 3.2 W
下降时间 7.9 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.2W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 VSON-FET-8
封装 VSON-FET-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
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