CSD17301Q5A

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CSD17301Q5A概述

30V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET,Texas Instruments


得捷:
MOSFET N-CH 30V 28A/100A 8VSON


立创商城:
N沟道 30V 28A


德州仪器TI:
30-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 3 mOhm


欧时:
Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD17301Q5A, 100 A, Vds=30 V, 8引脚 SON封装


e络盟:
TEXAS INSTRUMENTS  CSD17301Q5A  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 30 V, 2.3 mohm, 8 V, 1.1 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin VSONP EP T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin SON EP T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin VSONP EP T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin VSONP EP T/R


Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS  CSD17301Q5A  MOSFET Transistor, N Channel, 100 A, 30 V, 2.3 mohm, 4.5 V, 1.1 V


力源芯城:
30V,28A,N沟道功率MOSFET


Win Source:
MOSFET N-CH 30V 28A 8SON


DeviceMart:
MOSFET N-CH 30V 28A 8SON


CSD17301Q5A中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 8

漏源极电阻 0.0023 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 3.2 W

阈值电压 1.1 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 100 A

上升时间 16.2 ns

输入电容Ciss 3480pF @15VVds

额定功率Max 3.2 W

下降时间 10.5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3.2W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PowerTDFN-8

外形尺寸

长度 5.8 mm

宽度 5 mm

高度 1.1 mm

封装 PowerTDFN-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 正在供货

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

CSD17301Q5A引脚图与封装图
CSD17301Q5A引脚图
CSD17301Q5A封装图
CSD17301Q5A封装焊盘图
在线购买CSD17301Q5A
型号: CSD17301Q5A
制造商: TI 德州仪器
描述:30V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET
替代型号CSD17301Q5A
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

CSD17301Q5A

TI 德州仪器

当前型号

当前型号

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