30V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET
N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET,Texas Instruments
得捷:
MOSFET N-CH 30V 28A/100A 8VSON
立创商城:
N沟道 30V 28A
德州仪器TI:
30-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 3 mOhm
欧时:
Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD17301Q5A, 100 A, Vds=30 V, 8引脚 SON封装
e络盟:
TEXAS INSTRUMENTS CSD17301Q5A 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 30 V, 2.3 mohm, 8 V, 1.1 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin VSONP EP T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin SON EP T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin VSONP EP T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin VSONP EP T/R
Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS CSD17301Q5A MOSFET Transistor, N Channel, 100 A, 30 V, 2.3 mohm, 4.5 V, 1.1 V
力源芯城:
30V,28A,N沟道功率MOSFET
Win Source:
MOSFET N-CH 30V 28A 8SON
DeviceMart:
MOSFET N-CH 30V 28A 8SON
通道数 1
针脚数 8
漏源极电阻 0.0023 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 3.2 W
阈值电压 1.1 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 100 A
上升时间 16.2 ns
输入电容Ciss 3480pF @15VVds
额定功率Max 3.2 W
下降时间 10.5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.2W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PowerTDFN-8
长度 5.8 mm
宽度 5 mm
高度 1.1 mm
封装 PowerTDFN-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 正在供货
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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