40V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET，CSD18503Q5A
这款 40V、3.4mΩ、5mm x 6mm SON NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。
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- 超低 Qg 和 Qgd
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- 低热阻
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- 雪崩额定值
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- 逻辑电平
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- 无铅引脚镀层
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- 符合 RoHS 标准
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- 无卤素
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- 小外形尺寸无引线 SON 5mm x 6mm 塑料封装
## 应用范围
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- 直流 - 直流转换
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- 次级侧同步整流
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- 电池电机控制
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通道数 1
针脚数 8
漏源极电阻 0.0034 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 120 W
阈值电压 1.8 V
漏源极电压Vds 40 V
连续漏极电流Ids 19A
上升时间 8.8 ns
输入电容Ciss 2640pF @20VVds
额定功率Max 3.1 W
下降时间 2.6 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.1W Ta, 120W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 VSON-FET-8
长度 5.8 mm
宽度 5 mm
高度 1.1 mm
封装 VSON-FET-8
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 正在供货
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 电机驱动与控制, 电源管理, 工业
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
REACH SVHC版本 2015/06/15
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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CSD18503Q5A TI 德州仪器 | 当前型号 | 当前型号 |
CSD18503Q5AT 德州仪器 | 功能相似 | CSD18503Q5A和CSD18503Q5AT的区别 |
CSD18513Q5A 德州仪器 | 功能相似 | CSD18503Q5A和CSD18513Q5A的区别 |